CMPウェビナー
~卓上CMP装置による研磨評価からAFM、白色干渉計を用いた表面解析~20201120

CMPが半導体の製造工程に用いられるようになって20年以上が経過し、現在では平坦化技術は多くの工程で使用される必要不可欠なプロセスとなっております。本ウェビナーでは、コンパクトな卓上CMP評価装置を用いたパッドやスラリーなどのスクリーニング評価研磨評価と応用事例と、CMP研磨後の原子間力顕微鏡や白色干渉計による評価手法をそれぞれの原理と応用事例を交えて分かりやすくご紹介します。

<プログラム>
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30分 プログラム① 

『 卓上CMPプロセス・材料特性評価機“TriboLab CMP”のご紹介 』

半導体素子の高密度化・高集積化により、多層化は必須となっているが、その多層化の実現には平坦化技術が非常に重要です。CMP技術には、スラリー・パッド・研磨圧力・研磨速度など多岐にわたるパラメータが複雑に絡み合っており、その条件の最適化は品質及び歩留まり向上のために必須となっています。本セミナーでは、CMPプロセス開発向けの材料特性評価において高いパフォーマンスを発揮すTriboLab CMPのご紹介をいたします。
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30分 プログラム② 『 原子間力顕微鏡(AFM)によるCMPプロセス評価への応用 』

半導体は7nm/10nmプロセスノードがすでに採用され、2020年中には5nm, 2022年下半期には3nmプロセスノードが大量生産に移行する見込みです。これら半導体は、微細な配線の積層構造を持ち、プロセスノードが小さくなるほど、各配線層への平坦化加工の要求レベルが厳しくなるため、サブナノメーターの表面粗さ・凹凸、ポストCPMにおける配線部のディッシング・エロージョン等を直接かつ高精度で測定できる評価方法が必須となります。本ウェビナーでは、原子間力顕微鏡の簡単な原理説明とCMPプロセスに関連した測定例を紹介します。
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30分 プログラム③ 『 CMPプロセス評価のための3次元表面形状計測 』
 
現在、CMP技術はベアウェハーの平坦化、STI作製時、配線表面の平坦化などの半導体作製のほぼすべての工程には欠かすことの出来ない技術になっています。3次元白色干渉型顕微鏡はダイレベルでの形状特性評価を行うことができ、CMPプロセスに関連する新しいデータを提供し、CMPプロセスを改善することが出来ます。本ウェビナーでは3次元白色干渉型顕微鏡の基礎から、CMP後のダイレベルでの形状特性評価を紹介いたします。

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